派恩杰亮相上海SNEC光伏展，展示碳化硅功率器件

6月13日-6月15日，派恩SNEC第十七届（2024）国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会（以下简称“SNEC光伏展”）于上海国家会展中心举办。杰亮件本次展会，相上碳化硅功率器件领先品牌派恩杰半导体如约参展，光硅功携SiC功率器件、伏展芯片设计路线以及1700V高压器件应用方案与大家在上海见面，展示为工业应用以及新能源车用方案等提供了一个新的碳化方向。

展会期间，率器莅临派恩杰8.1H C650展位咨询的派恩客户络绎不绝，纷纷对派恩杰最新技术的杰亮件产品以及可靠封装模块表现出浓厚的兴趣，并与派恩杰建立了合作联系。相上

不仅是光硅功碳化硅模块产品，派恩杰半导体芯片设计Roadmap以及1700V高压器件应用方案在展会上同样引起了不少的伏展关注及问询，在展会上大放异彩。展示

碳化硅模块

派恩杰作为一家专注于MOSFET及碳化硅功率模块的碳化研发型公司，自2022年派恩杰第一款62mm模块下线开始，注重模块应用的高质量生产和卓越的设计开发技术，探索前沿工艺能力，陆续推出了Easy1B系列模块、HPD、HEPACK、TPAK、SOT227等产品。

新能源行业朝气蓬勃，功率半导体产业正在成为全球集成电路行业发展的重要动力。功率半导体作为单车成本最高的半导体之一，也是国内企业现阶段最有可能实现突破的半导体领域，而碳化硅已毋庸置疑地成为了主要突破点。

随着技术的不断进步和应用领域的不断拓展，碳化硅功率器件的应用将会越来越广泛，成为电力电子领域的重要支撑。

半导体芯片设计Roadmap

派恩杰半导体专注于第三代半导体的设计与推广，拥有深厚的技术积累和全面的产业链优势。其中，派恩杰半导体的碳化硅MOSFET的设计水平处于行业前列，关键技术指标HDFM全球领先。派恩杰半导体在650V，1200V，1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管，碳化硅MOSFET，碳化硅功率模块和GaN HEMT产品，能够为客户提供全方位的选择和技术支持。派恩杰半导体的量产产品已在电动汽车，IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为Tier 1厂商持续稳定供货，且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。

1700V高压器件应用方案

对于高功率以及高电压的应用场景例如电机驱动、光伏逆变器、储能、充电桩以及UPS等，在这些应用场合中母线电压高达上千伏，SiC MOSFET高压特性可以使用单管反激拓扑实现电源转换，使用1700V器件拥有以下优良特性。

派恩杰应用此高压器件开发了基于UCC28740准谐振反激以及基于UCC28C45非准谐振应用方案，两种方案都能同时满足高效率高功率要求，兼具贴片以及插件器件封装。

此次上海光伏展，派恩杰不仅巩固了与老客户之间更深入的合作，同时与更多SiC新客户建立了新的光伏合作。未来，派恩杰仍会不断提升技术研发能力、增加合规产品产量并扩大产品应用领域，期待下次携带更多新产品与应用方案与大家见面！

派恩杰致力于碳化硅功率器件国产替代，专注于技术创新和产品研发。我们将持续为新能源赛道赋能，助力客户步履更稳，行得更远。未来我们也希望能够和业内更多同仁进行多方位的技术交流并保持友好合作。敬请期待！

黄兴博士

派恩杰 总裁 &技术总监

师承IGBT发明者Dr. B.Jayant Baliga与发射极关断晶闸管发明者Dr.Alex Q.Huang。2018年创建派恩杰半导体(杭州)有限公司，领导派恩杰成为全球第一家量产元胞尺寸小于5μm的平面栅碳化硅MOSFET供应商，获得国际新能源龙头企业认可并收获直供订单，完成数亿元融资。黄兴博士著有10余篇科技论文，超350次引用，并拥有40余项专利，是碳化硅研发及应用领域的资深专家。

派恩杰半导体

成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大规模导入国产新能源整车厂和Tier 1，其余产品广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。